產(chǎn)品名稱(chēng)：二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2025-02-13
產(chǎn)品特點(diǎn)：二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器：Amptek產(chǎn)品為X射線(xiàn)熒光光譜儀（XRF）、RoHS分析、空氣環(huán)境測(cè)試、土壤、貴金屬、伽瑪射線(xiàn)的探測(cè)、考古、空間探測(cè)防等客戶(hù)提供高質(zhì)量及高可靠性完整X射線(xiàn)熒光光譜分析部件：X射線(xiàn)熒光光譜探測(cè)器、X射線(xiàn)光管、電荷靈敏前端放大器、數(shù)字脈沖處理器、電源、新型窗口材料B4C及分析軟件。與此同時(shí)，Amptek公司的混合前置放大器。
產(chǎn)品詳細(xì)資料：
二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器Amptek 探測(cè)器是 X 射線(xiàn)光譜測(cè)量領(lǐng)域技術(shù)的代表，可提供超高的能量分辨率、低能量效率、計(jì)數(shù)率、峰背比，并且成本低廉，適用于便攜式系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、OEM 儀器和實(shí)驗(yàn)室研究。Amptek 在該系列下?lián)碛袔追N不同類(lèi)型的探測(cè)器，它們均采用核心技術(shù)，但針對(duì)不同的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
探測(cè)器類(lèi)型
FAST SDD：這是 Amptek 性能最高的探測(cè)器。對(duì)于對(duì)性能要求很高的用戶(hù)，建議使用 FAST SDD。它可以提供超高的能量分辨率（在 5.895 keV 時(shí)低至 122 eV FWHM），可以測(cè)量能量 X 射線(xiàn)（在 52 eV 時(shí)低至 Li Ka 線(xiàn)），具有超高的峰背比，可以以超高的計(jì)數(shù)率（> 1 Mcps）運(yùn)行，并可提供******面積（****** 70 mm2）。FAST SDD 被廣泛用于最嚴(yán)苛的 XRF 應(yīng)用、EDS 和 SEMS/TEM、同步加速器和其他研究系統(tǒng)中。
SDD： 推薦需要中等能量分辨率和計(jì)數(shù)率的用戶(hù)使用。SDD 的典型分辨率為 125 eV，計(jì)數(shù)率通常為 200 kcps。它被廣泛用于許多便攜式 XRF 應(yīng)用。
Si-PIN：建議用于需要中等能量分辨率和計(jì)數(shù)率且預(yù)算不高的應(yīng)用。Si-PIN 器件具有傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，電子噪聲比 SDD 更大，但更易于制造。目前有三種不同的 Si-PIN 型號(hào)，面積分別為 6 mm2、13mm2 和 25 mm2。6 mm2 探測(cè)器可以高達(dá) 50k cps 的計(jì)數(shù)率在 5.9 keV Mn Ka 線(xiàn)處提供 140 eV FWHM 的能量分辨率。13 mm2 和 mm2 探測(cè)器在相同的計(jì)數(shù)率下可提供典型的能量分辨率為 180 和 210 eV 。
CdTe：推薦用于 20-30 keV 以上的應(yīng)用。CdTe 的阻止本領(lǐng)比 Si 高得多，可以制造得更厚，因此對(duì)所有特征 X 射線(xiàn)（甚至到 U 的 K 線(xiàn)）都具有高效率。CdTe 的電子噪聲比任何一個(gè) Si 探測(cè)器都要差（5.9 keV Mn Ka 線(xiàn)處的分辨率通常為 450 eV FWHM），這使 Si 探測(cè)器成為低于 20 keV 能量應(yīng)用的更好選擇。但是，在 20 至 30 keV 以上，分辨率主要由 Fano 展寬決定，因此差異變小，特征 X 射線(xiàn)間距更寬，Si 探測(cè)器的效率下降，這使 CdTe 成為更好的選擇。CdTe 探測(cè)器非常適合測(cè)量 X 射線(xiàn)管的頻譜，適用于效率非常重要而能量分辨率不那么重要的應(yīng)用。 CdTe 也是伽馬射線(xiàn)應(yīng)用的不錯(cuò)選擇。
探測(cè)器選型表
探測(cè)器類(lèi)型 | 保證能量分辨率 |
Si-PIN | 139 – 159 eV |
Si-PIN | 180 – 205 eV |
Si-PIN | 190 – 225 eV |
SDD | 125 – 135 eV |
FAST SDD | 122 – 129 eV |
FAST SDD-70 | 123 – 135 eV |
*所有結(jié)果均在探測(cè)器冷卻的情況下獲得。峰背（P/B）比是指 13 和 25 mm2 Si-PIN 從 5.9 keV 到 2 keV 的計(jì)數(shù)比以及所有 SDD 和 6 mm2 Si-PIN 從 5.9 keV 到 1 keV 的計(jì)數(shù)比。用戶(hù)在選擇探測(cè)器時(shí)不僅應(yīng)考慮分辨率，還應(yīng)考慮面積、厚度、吞吐量和峰背比。
探頭性能對(duì)比
圖1. Si-PIN 和 SDD 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間之間的關(guān)系。峰值時(shí)間約為 2.4 倍整形時(shí)間。
圖2. 6 mm2、13 mm2 和 25 mm2 Si-PIN 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間和溫度之間的關(guān)系。
圖3. 25 mm2 標(biāo)準(zhǔn)和 FAST SDD 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間和溫度之間的關(guān)系。
圖4. 70 mm2 FAST SDD 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間和溫度之間的關(guān)系。
二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器探頭配置
所有Amptek X射線(xiàn)探測(cè)器元件均有 XR-100、X-123 或 OEM 配置。
XR-100 配置僅包括探測(cè)器和前置放大器，必須與 PX5 數(shù)字脈沖處理器或 DP5/PC5處理器和電源構(gòu)成完整系統(tǒng)。XR-100/PX5 組合最為靈活，專(zhuān)為實(shí)驗(yàn)室和研究用途而設(shè)計(jì)。
X-123 包括探測(cè)器、數(shù)字脈沖處理器和電源，是一個(gè)完整的系統(tǒng)。X-123 配置是臺(tái)式和對(duì)尺寸、便攜性等應(yīng)用的理想選擇。
對(duì)于手持式和定制應(yīng)用，還有更小尺寸的OEM配置可供選擇。
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