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加速電壓：0.5–30 kV，可在 0.1 kV 步長(zhǎng)下連續(xù)調(diào)節(jié)，支持低電壓模式（如 100–500 V）以減少非導(dǎo)電樣品的荷電效應(yīng)。

束流強(qiáng)度：1 pA–2 nA，滿足高分辨成像與高靈敏度成分分析需求。

分辨率：

二次電子像（SEI）：1.0 nm（15 kV，工作距離 4 mm）；

低電壓下表現(xiàn)優(yōu)異：1.4 nm（1 kV，減速模式），2.0 nm（1 kV，正常模式）；

背散射電子像（BSEI）：通過 E×B 探測(cè)器實(shí)現(xiàn) Z 襯度成像，適用于成分差異分析。

探測(cè)器與信號(hào)采集

二次電子探測(cè)器（SE）：

高位 SE 探測(cè)器（SE (U)）：接收表面形貌信息，分辨率高，適用于高分辨成像。

低位 SE 探測(cè)器（SE (L)）：增強(qiáng)立體感，適用于觀察凹凸結(jié)構(gòu)。

背散射電子探測(cè)器（BSE）：

低角 BSE（LA-BSE）：突出成分差異，適用于多相材料分析。

高角 BSE（HA-BSE）：提供結(jié)晶學(xué)襯度，用于晶粒取向研究。

E×B 技術(shù)：通過電場(chǎng)與磁場(chǎng)分離二次電子與背散射電子，可選擇性接收單純 SE、混合 SE+BSE 或純 BSE 信號(hào)，優(yōu)化圖像對(duì)比度。

能譜儀（EDS）：

探測(cè)器活區(qū)面積：10–30 mm2（不同配置），能量分辨率≤129 eV（Mn Kα），元素分析范圍 Be?–U?2。

支持定點(diǎn)、線掃描和面分布分析，配備電制冷系統(tǒng)以提高穩(wěn)定性。