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二手 HITACHI SU-5000 高分辨掃描電鏡
尊敬的客戶：你好
最新消息：2026年3月6號(hào)心怡創(chuàng)科技到貨了；到貨了；到貨了；到貨了；都是無(wú)損檢測(cè)分析設(shè)備；
電鏡儀器型號(hào)如下：HITACHI SU-5000
在心怡創(chuàng)整體員工銷售和售后兩個(gè)團(tuán)隊(duì)的協(xié)助下，完成了儀器在倉(cāng)庫(kù)的安裝。主要還是由售后林工和陳工的協(xié)助下
入庫(kù)擺放工作。
位置：深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道固戍社區(qū)深圳前灣硬科技產(chǎn)業(yè)園
二手 HITACHI SU-5000 冷場(chǎng)發(fā)射電鏡
一、技術(shù)參數(shù)：
基本概述
核心技術(shù)參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù)詳情 |
|---|---|
| 分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV（高真空 SE）；3.0 nm @ 1 kV；2.0 nm @ 1 kV（減速模式，選配）；3.0 nm @ 15 kV（低真空模式，選配） |
| 放大倍率 | 底片：10–600,000×；顯示：18–1,000,000×（800×600）、30–1,500,000×（1280×960） |
| 電子槍 | ZrO/W 肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子槍 |
| 加速電壓 | 0.5–30 kV（0.1 kV 步進(jìn)）；減速模式著陸電壓 0.1–2.0 kV |
| 最大束流 | >200 nA（滿足 EDS/WDS/EBSD 高效定量） |
| 探測(cè)器標(biāo)配 / 選配 | 標(biāo)配低位 SE 探測(cè)器；選配頂位 SE、PD-BSD 五分割背散射、UVD 低真空探測(cè)器 |
| 5 軸樣品臺(tái) | X:0–100 mm，Y:0–50 mm，Z:3–65 mm，T:-20° 至 90°，R:360° 連續(xù)；最大樣品 Φ200 mm×80 mm |
| 真空系統(tǒng) | 高真空 + 低真空（10–300 Pa），換樣抽至觀察真空≤3 分鐘 |
關(guān)鍵功能特點(diǎn)
EM Wizard 智能控制：一鍵式條件選擇、自動(dòng)光軸校準(zhǔn)、實(shí)時(shí)圖像優(yōu)化，降低操作門檻；3D MultiFinder 實(shí)現(xiàn)傾斜 / 旋轉(zhuǎn)時(shí)圖像自動(dòng)居中對(duì)焦。
低電壓 / 低真空強(qiáng)性能：100 V 極低壓成像，減少電子束損傷；UVD 探測(cè)器在低真空下依然保持高信噪比，適合不導(dǎo)電、含水、多孔樣品（如生物、高分子、陶瓷）。
大樣品 + 快速換樣：抽拉式樣品倉(cāng)，支持 Φ200 mm 的大直徑樣品，開(kāi)倉(cāng)換樣無(wú)需復(fù)雜抽真空等待。
多分析附件兼容：無(wú)縫對(duì)接 EDS（能譜）、WDS（波譜，高精度成分）、EBSD（背散射電子衍射，晶體取向 / 織構(gòu)），可實(shí)現(xiàn)形貌–成分–晶體結(jié)構(gòu)一體化表征。
可選配置與附件
探測(cè)器類：頂位高分辨 SE 探測(cè)器、PD-BSD（5 分割半導(dǎo)體 BSE，襯度可調(diào)）、UVD 低真空探測(cè)器；
分析模塊：EDS（牛津 / 布魯克等）、WDS、EBSD、陰極熒光（CL）；
樣品處理 / 環(huán)境：低溫臺(tái)、真空鍍膜儀（噴金 / 噴碳）；
軟件擴(kuò)展：3D 重建、自動(dòng)拼圖、顆粒統(tǒng)計(jì)。
維護(hù)保養(yǎng)要點(diǎn)
電子槍維護(hù)：肖特基槍需穩(wěn)定真空與控溫，避免頻繁斷束；定期檢查燈絲壽命，清潔電子光學(xué)通道（防污染影響分辨率）；
真空系統(tǒng)：保持真空泵油 / 離子泵正常狀態(tài)，定期更換濾芯；低真空模式后及時(shí)恢復(fù)高真空，防止污染擴(kuò)散；
探測(cè)器清潔：SE/BSD 探測(cè)器窗口避免樣品顆粒濺射，定期用無(wú)水乙醇擦拭（斷電真空恢復(fù)后操作）；
樣品臺(tái)校準(zhǔn)：長(zhǎng)期使用后需執(zhí)行 5 軸自動(dòng)校準(zhǔn)，確保移動(dòng)精度與圖像無(wú)漂移；
軟件與硬件備份：定期更新 EM Wizard 固件，備份參數(shù)與數(shù)據(jù)，防止系統(tǒng)異常導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
典型應(yīng)用領(lǐng)域
材料科學(xué)：納米顆粒、薄膜、復(fù)合材料的形貌與成分分析；
半導(dǎo)體與電子：芯片失效分析、封裝材料、PCB 微結(jié)構(gòu)；
生命科學(xué)與生物：細(xì)胞、組織（臨界點(diǎn)干燥 / 冷凍）、微生物表面結(jié)構(gòu)；
地質(zhì)與礦物：巖石、礦物的微區(qū)成分與晶體取向；
高分子與聚合物：PTFE、塑料、纖維的表面與斷面形貌。
補(bǔ)充信息與資源
資料：日立高新 SU5000 中文頁(yè)面；
選型建議：若以低電壓、絕緣樣品為主，優(yōu)先選配減速模式 + 頂位 SE+UVD；若需做 EBSD，需配合大束流與 PD-BSD 探測(cè)器；
運(yùn)行環(huán)境：建議恒溫 20–24℃，濕度 40%–60%，無(wú)振動(dòng)、無(wú)強(qiáng)電磁干擾的實(shí)驗(yàn)室。
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